FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 130µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：130nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2660pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

FET 功能：温度检测二极管

功率耗散（最大值）：170W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 19A，10V

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO220-5-62

封装/外壳：PG-TO263-5-2

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs